中微公司：第 1500 個(gè) CCP 刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)順利付運(yùn)
來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng)昨日，中微公司宣布，電容耦合高能等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備第 1500 個(gè)反應(yīng)臺(tái)順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家半導(dǎo)體制造商。本次交付的 Primo D-RIE 刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)來(lái)自該客戶的重復(fù)訂單。
中微公司表示，Primo D-RIE 刻蝕設(shè)備被芯片制造商用于制造存儲(chǔ)和邏輯器件。為優(yōu)化產(chǎn)量而設(shè)計(jì)，Primo D-RIE 可以配置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，每個(gè)反應(yīng)腔既可以獨(dú)立操作，又可以同時(shí)加工兩片晶圓。
自 2007 年 Primo D-RIE 發(fā)布以來(lái)，中微公司陸續(xù)拓展了 CCP 刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。CCP 刻蝕設(shè)備系列還包括雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE、單反應(yīng)臺(tái)刻蝕設(shè)備 Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE 和刻蝕及除膠一體化的 Primo iDEA。
據(jù)介紹，這些產(chǎn)品用于 5 納米及以下工藝的多種應(yīng)用。中微公司的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線還包括其他兩款電感耦合低能等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備和硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備。
